1. <em id="t9iaz"><acronym id="t9iaz"><u id="t9iaz"></u></acronym></em>
    <span id="t9iaz"></span>
    <em id="t9iaz"><tr id="t9iaz"></tr></em>

    <li id="t9iaz"><acronym id="t9iaz"></acronym></li>
    <tbody id="t9iaz"></tbody>
  2. <button id="t9iaz"><samp id="t9iaz"></samp></button>
      <dd id="t9iaz"><track id="t9iaz"></track></dd>
    1. <rp id="t9iaz"><acronym id="t9iaz"><input id="t9iaz"></input></acronym></rp>
      技术文章您的位置:网站首页 >技术文章 >光刻胶软烘

      光刻胶软烘

      发布时间:2020-11-23   点击次数:379次

      软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行,软烘设备工作原理如图2.17所示,硅片放在真空热板上,热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃,时间为30~60S。软烘后将硅片转移到轨道系统的冷板上冷却以便下一步操作。

      以光学紫外曝光为例,首先将硅片定位在光学系统的聚焦范围内,硅片的对准标记与掩模版上相匹配的标记对准后,紫外光通过光学系统和掩模版图形进行投影。掩模版图形若以亮暗的特征出现在硅片上,这样光刻胶就曝光了。

      在线咨询
      咨询热线

      13162861726

      [关闭]
      精品裸体舞av_张筱雨人体337p人体_少妇半推半就私密按摩_一本大道大臿蕉香蕉大视频